2019-12-03 09:08:18 阅读:1713
摘要: 9月20日,长鑫存储技术有限公司在大会上宣布:总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目正式投产,其与国际主流动态随机存取存储芯片同步的10纳米级第一代8gb ddr4在大会上首度亮相,一期

(观察家网络新闻)

9月20日,长信存储科技有限公司在会上宣布,总投资约1500亿元人民币的长信存储存储芯片自主制造项目正式投产。其与国际主流动态随机存取存储器芯片(dram)同步的10纳米第一代8gb ddr4在会议上首次亮相。第一阶段的设计能力为每月120,000片晶圆,第一批芯片将于今年年底交付给客户。

Dram是最常见的系统存储器,它被称为连接中央处理器的“数据高速公路”。它广泛应用于个人电脑、手机、服务器等领域。它是集成电路行业中产值最大的单芯片类别。中国是该芯片最大的应用市场,但其自身生产能力不足。三星、海力士和美光已经垄断了该行业95%的生产能力。

据微信“合肥发布”报道,2016年合肥工业投资(控股)集团有限公司和北京赵一创新科技有限公司共同投资的长信12英寸内存晶圆制造基地项目,是中国大陆唯一拥有完整技术、工艺和生产运营团队的dram项目。这也是安徽省最大的单一投资工业项目,目标是建立一个集设计和制造于一体的内存芯片国内制造基地。

当时,长新仓储项目、长江仓储和福建金华被称为中国仓储行业的三大开拓者,备受业界关注。目前,该项目已通过逐级评审,并从工业和信息化部下属的测试机构中国电子技术标准化研究所获得批量生产产量测试报告。

据中国科技大学杰出教授陈俊宁等业内权威专家介绍,长信存储的正式推出标志着中国在存储芯片领域大规模生产技术的突破,并拥有自己对这一关键战略组件的能力。

长信存储科技有限公司董事长兼首席执行官朱一鸣透露,长信存储的产品现在是全球市场的主流产品,另一款移动终端低功耗产品即将投产。

此外,据《中国电子新闻》报道,长信存储副总裁兼未来技术评估实验室负责人平尔轩(Pinger Xuan)在近日举行的中国闪存技术峰会(cfms)上表示,合肥长信借助基于授权的odd梦达相关技术的先进机器和从世界各地招聘的经验丰富的人才,稳步将原有的46纳米dram从odd梦达提升至10纳米水平。目前,该公司还开始在euv、hkmg和gaa领域探索尚未在dram上实施的新技术。

据分析,长信存储填补了国内dram的空白,有望突破韩美企业在国际市场的垄断地位。

此外,全球半导体联盟gsa日前宣布,合肥长信仓储董事长兼首席执行官朱一鸣将成为联盟董事会成员。全球半导体联盟(Global Semiconductor Alliance)拥有来自全球25个以上国家和地区的250多个企业成员,代表着价值4500亿美元的半导体产业的70%,包括从初创企业到行业巨头的公私企业,其中100家是上市公司。

此前,SMIC联合首席执行官赵海军是代表中国内地半导体企业的唯一董事会成员。这次朱一鸣的加入代表着国内存储正式进入高端玩家俱乐部,让国内半导体在国际舞台上有了另一个声音。

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